时间：2025/5/10 10:24:13
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WFW11N90是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该器件采用TO-220封装形式，适用于电源管理、电机驱动、负载切换等应用领域。其高击穿电压和低导通电阻特性使其成为功率转换和逆变器设计的理想选择。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：11A
导通电阻：2.4Ω
栅极阈值电压：3V~6V
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃~175℃
WFW11N90具有较高的雪崩能量承受能力，能够有效保护电路免受瞬态电压的影响。
其具备较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。
该器件还拥有快速开关速度，有助于降低开关损耗。
此外，WFW11N90采用了优化的封装设计，确保了良好的散热性能。
该器件主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制以及各类工业设备中的功率管理模块。
它也适用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统。
同时，由于其耐高压特性，WFW11N90在太阳能微逆变器和其他新能源相关产品中也有广泛应用。
STW11N90K5, IRFZ44N
