WFP3N50 时间：2025/5/8 17:51:21 阅读：5

WFP3N50是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高耐压的特性，适合于高频开关应用。WFP3N50的典型特点包括其耐压能力达到500V，能够承受较大的漏源电压，同时具备较低的导通损耗。
　　该器件通常用于需要高效功率转换和较高电压等级的应用场景中，例如工业控制、家用电器和消费类电子产品中的开关电路。

参数

最大漏源电压：500V
　　最大漏极电流：3A
　　栅源电压：±20V
　　导通电阻：1.9Ω
　　功耗：78W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

WFP3N50的主要特性如下：
　　1. 高耐压性能，支持高达500V的工作电压，确保在高压环境下的可靠性。
　　2. 较低的导通电阻，为1.9Ω，降低了功率损耗并提高了效率。
　　3. 快速开关能力，适用于高频开关电路，减少开关损耗。
　　4. 采用标准TO-220封装，便于安装和散热设计。
　　5. 工作温度范围宽，适应从低温到高温的各种恶劣工作条件。
　　6. 稳定性高，能够在长时间运行中保持良好的性能。

应用

WFP3N50适用于多种电力电子应用，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的开关元件。
　　2. 直流电机驱动电路中的功率开关。
　　3. 逆变器中的功率级元件。
　　4. 电池充电器中的保护和控制元件。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 家用电器中的功率管理电路，例如空调、洗衣机等。