时间：2025/5/23 2:07:58
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WFF7N60是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TO-220封装形式。该器件适用于高电压应用场合，例如开关电源、电机驱动和逆变器等领域。WFF7N60具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频条件下提供高效能表现。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，其漏源极耐压高达600V，能够承受较高的瞬态电压冲击，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：1.8Ω
总功耗：135W
结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 较低的导通电阻，可减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频工作条件。
4. 小型化的TO-220封装，便于散热设计与安装。
5. 具备较强的雪崩能量吸收能力，增强器件在异常情况下的保护功能。
6. 稳定的工作特性和较长的使用寿命，适用于工业级和消费级电子设备。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 直流无刷电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 太阳能逆变器和电池管理系统中的切换与保护元件。
4. 电磁阀驱动及继电器替代方案。
5. 各种需要高压开关控制的工业设备及家用电器中。
IRF740, K1107N60, STP7NF60
