WFF5N65 时间：2025/4/29 11:17:40 阅读：2

WFF5N65是一种高压N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供高效的性能。
　　WFF5N65的设计注重耐压能力与散热性能的平衡，其额定电压为650V，适用于多种工业和消费电子领域。由于其高可靠性和稳定性，这种MOSFET成为了许多设计工程师在高压电路中的首选。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：5A
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　导通电阻：1.8Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗：135W
　　工作结温范围：-55℃~175℃

特性

WFF5N65具备以下显著特点：
　　1. 高耐压能力，最高可达650V，适合高压应用场景。
　　2. 较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关特性，能够适应高频工作的需求。
　　4. 稳定的工作性能，即使在高温环境下也能保持良好的可靠性。
　　5. 小封装尺寸，便于PCB布局设计，同时节约空间。
　　6. 具备ESD保护功能，提高了器件在实际使用中的抗静电能力。

应用

WFF5N65主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器等产品中的功率转换电路。
　　2. 逆变器：用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）中的功率开关。
　　3. 电机驱动：如家用电器、工业设备中的无刷直流电机控制。
　　4. 荧光灯电子镇流器：实现高效稳定的灯光驱动。
　　5. 各类电力电子设备：例如电磁炉、电焊机等需要高压开关的场合。