时间：2025/12/29 15:13:08
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WFD4N60是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于高电压和高电流的应用场景。该晶体管由WON-TACT公司生产，具有优良的导通特性和耐压能力，适用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
WFD4N60具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：漏源极间的最大电压为600V，这使得该器件适用于高压开关电路，能够承受较高的电压应力，提高了电路的可靠性。
2. 低导通电阻：典型值为1.8Ω，较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体效率，同时减少器件在工作过程中的发热现象。
3. 高电流容量：最大漏极电流为4A，在合理散热条件下可以满足中功率应用的需求，适用于电源转换和马达控制等领域。
4. 栅极电压范围宽：栅源电压可承受±20V，这使得该器件能够兼容多种驱动电路，提升了其在不同应用场景中的适用性。
5. 热稳定性好：能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适应恶劣的环境条件，适合工业级和汽车电子应用。
6. 封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，便于安装和散热设计。
WFD4N60凭借其优异的电气特性和稳定性，被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关器件，用于AC/DC或DC/DC转换器中，实现高效的能量转换。
2. 逆变器系统：在太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中用作功率开关，实现直流电到交流电的转换。
3. 电机控制：适用于直流无刷电机、步进电机等的驱动电路，提供高效的功率输出和可靠的控制性能。
4. 工业自动化设备：用于各种工业控制系统中的功率控制模块，如继电器替代、负载开关等。
5. LED照明驱动：在高电压LED照明系统中作为调光或开关控制元件，提高系统的稳定性和效率。
6. 汽车电子：用于车载电源管理、电动工具、电动车控制器等应用中。
2N60, 4N60, FQP4N60
