时间：2025/11/6 2:38:19
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WF06H2802BTL是一款由Wolfspeed（原Cree）推出的高性能SiC（碳化硅）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温应用环境设计。该器件基于第三代碳化硅材料技术制造，具备卓越的开关性能与热管理能力，适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统及各类高端功率转换设备中。作为一款650V额定电压的二极管，WF06H2802BTL在导通损耗和反向恢复特性方面显著优于传统硅基快恢复二极管（FRD），能有效提升系统整体能效并减小散热需求。其封装采用TO-263-2L（D2PAK）表面贴装形式，便于自动化生产装配，并支持高效散热设计。该产品符合RoHS环保标准，具备高可靠性与长期稳定性，广泛用于需要紧凑结构与高功率密度的设计场景。WF06H2802BTL特别适合与SiC MOSFET或IGBT配合使用，在PFC电路、DC-DC变换器以及电机驱动等拓扑结构中发挥关键作用，帮助工程师实现更高效率、更轻量化和更小体积的电源解决方案。
类型：SiC肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：650V
平均正向整流电流（IF(AV)）：28A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：172A（单半波，60Hz）
最大正向电压降（VF）：1.7V @ 28A, Tj=25°C
反向漏电流（IR）：1.5mA @ Tj=150°C
结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
热阻（RθJC）：约1.2°C/W
封装形式：TO-263-2L (D2PAK)
安装方式：表面贴装（SMD）
工作结温：-55°C ~ +175°C
存储温度范围：-55°C ~ +175°C
WF06H2802BTL的核心优势在于其采用的碳化硅半导体材料所带来的优异电学性能。相较于传统的硅基二极管，该器件具有近乎零的反向恢复电荷（Qrr）和极短的反向恢复时间（trr），这使得它在高频开关操作下几乎不产生开关损耗，从而大幅提升了系统的转换效率。尤其是在连续导通模式（CCM）的功率因数校正（PFC）电路中，这种特性可以显著降低EMI干扰和电压尖峰，减少对缓冲电路的需求。
此外，由于碳化硅材料本身具有更高的临界击穿电场强度和热导率，WF06H2802BTL能够在更高的结温下稳定运行，最高可达+175°C，远高于普通硅器件的+150°C上限。这意味着在相同功率等级下，它可以承受更大的热应力，或者在同等散热条件下允许更高的输出功率，有助于实现更紧凑的散热设计。同时，低正向压降（VF）确保了较低的导通损耗，即使在满载工况下也能保持较高的能效水平。
该器件还表现出极佳的抗浪涌能力和长期可靠性。其高达172A的峰值非重复浪涌电流能力使其能够耐受突发的过流冲击，如电源启动或电网波动引起的瞬态电流，增强了系统的鲁棒性。TO-263-2L封装不仅提供了良好的机械强度，还通过优化引线布局降低了寄生电感，有利于高速开关应用中的电磁兼容性表现。总体而言，WF06H2802BTL凭借其高频、高温、高效率和高可靠性的综合优势，成为现代绿色能源与电动出行领域中不可或缺的关键元器件之一。
WF06H2802BTL广泛应用于各类高效率功率转换系统中。典型应用场景包括服务器电源、通信电源等工业级AC-DC电源中的升压PFC级整流元件，利用其零反向恢复特性来提升能效并降低EMI滤波成本。在太阳能光伏逆变器中，该器件常用于直流侧旁路保护或MPPT电路中的防反二极管，凭借其高温工作能力和低漏电流特性，可在户外严苛环境下长期稳定运行。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，WF06H2802BTL可用于辅助电源或主功率回路中的续流路径，配合SiC MOSFET构建全碳化硅功率模块，以实现更高的功率密度和更快的充电速度。其他应用还包括UPS不间断电源、高功率LED驱动电源、大功率DC-DC变换器以及工业电机驱动中的续流二极管角色。得益于其表面贴装封装形式，也适用于需要自动化贴片工艺的批量生产环境，满足现代智能制造对效率与一致性的要求。
C3D25065D
Vincotech VSI100-B12A11-H
