WESD12V0BW4 是一款基于硅材料的瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和其他过电压瞬态的危害。该器件具有低电容特性,非常适合高速数据线路和高频信号路径中的保护应用。
WESD 系列是 Vishay 公司推出的高性能 TVS 芯片二极管系列,其设计符合现代电子设备对小型化、高可靠性和低插入损耗的要求。WESD12V0BW4 的工作电压为 12V,采用超小尺寸的 SOD-323 封装,能够有效节省 PCB 空间。
工作电压:12V
峰值脉冲电流:86A
钳位电压:17.5V
动态电阻:0.4Ω
结电容:9pF
反向漏电流:1μA(最大值,@VR=12V)
响应时间:≤1ps
封装类型:SOD-323
WESD12V0BW4 提供了多种优异的性能特点,使其成为许多敏感电子系统中理想的防护元件。
1. 极快的响应速度确保它可以迅速抑制瞬态过电压,避免对下游电路造成损害。
2. 低结电容(仅 9pF)使得它适合在高速数据线路上使用,例如 USB、HDMI 和其他高速接口。
3. 高度可靠的钳位能力,能够在发生瞬态事件时将电压限制在安全范围内。
4. SOD-323 封装形式不仅体积小巧,还提供了出色的热性能。
5. 符合 AEC-Q101 标准,支持汽车级应用需求。
6. 完全无铅,符合 RoHS 和绿色环保要求。
WESD12V0BW4 广泛应用于需要进行过电压保护的各种场景,包括但不限于:
1. 高速数据接口保护(USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 等)。
2. 汽车电子系统中的 ESD 和浪涌保护。
3. 移动通信设备(如手机、平板电脑等)中的射频前端保护。
4. 工业自动化控制中的信号线保护。
5. 计算机及外设中的 I/O 端口防护。
6. 医疗设备和消费类电子产品中的关键节点保护。
WESD12V0BJ4, SMAJ12A, PESD12V0X1B