时间：2025/6/26 10:07:32
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WEP090BC0201是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性，能够有效提升电路效率并降低功耗。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通与关断，适用于多种电子设备中的功率管理场景。
型号：WEP090BC0201
类型：N沟道功率MOSFET
Vds（漏源极耐压）：90V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：20mΩ
Id（连续漏极电流）：36A
Qg（栅极电荷）：28nC
Bvdss（击穿电压）：90V
Vgs(th)（阈值电压）：2.2V~4.0V
EAS（雪崩能量）：75mJ
封装形式：TO-220FP
WEP090BC0201的主要特性包括：
1. 高效的功率处理能力，支持高达90V的工作电压。
2. 极低的导通电阻，仅为20mΩ，从而减少了功率损耗。
3. 较小的栅极电荷使得开关速度更快，有助于提高系统效率。
4. 良好的热性能，确保在高功率应用场景下的稳定工作。
5. 支持大电流输出，连续漏极电流可达36A。
6. 紧凑且可靠的封装设计，便于集成到各种电路板中。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
WEP090BC0201适用于以下领域：
1. 开关电源和适配器设计。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 各类电机驱动电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子中的电源控制单元。
7. 其他需要高效功率切换的应用场景。
WEP090BC0200, WEP090BC0202
