时间：2025/8/20 17:44:24
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WED7F324XE3SN 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率的功率转换和开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式（Trench）技术，能够在较低的导通电阻下实现较高的电流处理能力，从而减少功率损耗并提升整体系统效率。WED7F324XE3SN 是一款N沟道增强型MOSFET，适合用于DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关以及各种需要高效能功率控制的电子设备中。该器件封装在小型化的表面贴装（SOP）封装中，适用于自动化装配流程，并且具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：最大12.8mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V至2.5V
最大功耗（PD）：60W
封装类型：SOP（表面贴装封装）
工作温度范围：-55°C至150°C
WED7F324XE3SN MOSFET采用先进的沟槽式技术，具有非常低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。这种特性对于高电流应用尤为重要，因为它可以减少发热并提高系统的可靠性。
该器件的最大漏极电流为30A，最大漏源电压为30V，使其适用于多种中低电压功率转换应用，例如在DC-DC转换器、同步整流器和负载开关中使用。该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，表明其具有较低的驱动电压需求，能够与多种控制电路兼容，包括低压微控制器和逻辑电路。
其SOP封装形式不仅节省空间，而且便于在高密度PCB设计中使用，同时支持自动化的SMT（表面贴装技术）装配流程，提高了生产效率。此外，该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保其在各种环境条件下都能稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
WED7F324XE3SN还具有良好的热稳定性，能够在高功率操作下保持稳定的性能，降低了对额外散热措施的需求。这使得该器件适用于对空间和重量有严格要求的应用场景，如便携式电子设备、电动工具和无人机等。
WED7F324XE3SN MOSFET广泛应用于需要高效功率管理的电子设备中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电源管理系统。它也适用于需要高电流开关能力的工业自动化设备、电机控制电路以及汽车电子系统，如车载充电器和电池管理系统。此外，该器件还可用于高性能电源模块、服务器电源和电信设备中的功率转换模块。
TPH3206LD1, SiSS218DN, FDS6675, FDMS7610
