类型：红外LED
　　波长：870nm
　　最大正向电流：100mA
　　峰值正向电流：1.5A
　　反向电压：5V
　　功率耗散：150mW
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +100°C
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　视角：±35°
　　发光强度：典型值 1.2W/sr
　　尺寸：5.6mm x 3.4mm x 2.1mm

WED3C7558M350CI 具备多项优异的电气和光学特性。首先，其发射波长为 870nm，属于近红外区域，适用于大多数光电传感器和红外接收器的响应范围。该红外LED 的发光强度较高，典型值为 1.2W/sr，在低功耗条件下仍能提供稳定的光输出。该器件的最大正向电流为 100mA，峰值正向电流可达 1.5A，适合脉冲驱动应用，从而在降低平均功耗的同时提高瞬时光输出。其封装采用表面贴装设计，便于自动化生产，提高生产效率。此外，该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合在各种工业和消费类环境中使用。WED3C7558M350CI 的视角为 ±35°，能够提供较宽的光发射角度，适用于需要较大覆盖范围的应用，如遥控器、光电开关和安全系统。
　　从材料和制造工艺来看，WED3C7558M350CI 使用高纯度砷化镓（GaAs）材料，确保了器件的高发光效率和长期稳定性。其封装材料具有良好的红外透射性能，同时具备一定的耐热性和机械强度，能够承受较高的焊接温度。此外，该器件的低功耗特性使其适用于电池供电设备，如便携式电子设备和无线传感网络。

WED3C7558M350CI 广泛应用于多个领域。在消费电子领域，该红外LED 常用于遥控器、红外数据传输（IrDA）接口和自动门控系统。在工业控制领域，WED3C7558M350CI 可作为光电传感器的发射端，用于物体检测、位置识别和自动化生产线控制。在安防系统中，该器件可用于红外照明、夜视摄像头和门禁系统。此外，该红外LED 还可用于医疗设备中的非接触式传感器、光疗设备以及光学测量仪器。

TSTP620-3C75, SFH 4715, TSFF5610, VSMY2850X01