WCL120N10S是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关和高效率电力转换应用。该器件采用了先进的横向结构设计,具备低导通电阻、快速开关速度以及高击穿电压的特点。由于其卓越的性能表现,WCL120N10S在消费电子、工业电源、通信设备等领域有广泛的应用前景。
此器件的最大耐压为100V,能够满足中等电压范围内的各种电路需求,并且其封装形式紧凑,有助于简化PCB布局和降低整体系统成本。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:15A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:35nC
输入电容:1200pF
反向传输电容:150pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-252
WCL120N10S具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频工作场景,从而减小无源元件尺寸。
3. 高耐压能力,确保在高压环境下稳定运行。
4. 紧凑型封装设计,节省PCB空间。
5. 支持高温操作,适应严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准,环保无害。
这些特性使得WCL120N10S成为现代高效电源转换解决方案的理想选择。
WCL120N10S适合用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 太阳能逆变器
5. 消费类快充适配器
6. 工业自动化设备中的电源模块
7. 电信基站电源
凭借其出色的性能和可靠性,这款器件能够在多种复杂环境中提供稳定高效的电力转换功能。
WCL120N10T, WCL120N10P