时间：2025/5/12 8:31:58
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WCL058N10DN 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，适用于多种功率管理应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。
该器件封装为 DFN（小外形无引脚封装），具有较小的体积和良好的散热性能，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9.4A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：26nC
开关时间：典型值 t_on=13ns, t_off=32ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
WCL058N10DN 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，能够支持高频应用，降低电磁干扰 (EMI)。
3. 小型 DFN 封装，节省 PCB 空间，同时具备良好的热性能。
4. 较宽的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使得 WCL058N10DN 成为许多高密度和高效能设计的理想选择。
这款 MOSFET 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 负载开关，用于控制电路中的电流流动。
3. 电机驱动，提供高效的电流切换以驱动直流或步进电机。
4. 电池管理系统 (BMS)，实现对电池充放电的精确控制。
5. 各类消费电子设备中的电源管理和信号调节。
其高性能和可靠性使其成为众多工业及消费级应用的核心元件。
WCL058N10DP, IRF76DY
