类型：MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：10mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252
　　安装类型：表面贴装

WB3M200VDZTR1000 具备多项显著特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其典型导通电阻仅为10mΩ，在高电流应用中能有效降低功耗，减少发热。
　　其次，WB3M200VDZTR1000 支持高达20A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其最大漏源电压为30V，栅源电压容限为±20V，具备良好的抗电压波动能力，适用于多种电源管理系统。　　在开关性能方面，WB3M200VDZTR1000 优化了开关损耗，使其在高频开关应用中依然能够保持较高的效率。这对于需要高开关频率的DC-DC转换器和PWM控制电路尤为重要。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作环境下长时间运行。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于工业级和汽车电子应用。
　　最后，WB3M200VDZTR1000 设计上具有良好的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过压和过流情况，提高系统的鲁棒性和稳定性。

WB3M200VDZTR1000 主要应用于以下领域：
　　1. **DC-DC转换器**：在升压、降压或同步整流电路中，作为高效开关器件，提高能量转换效率。
　　2. **电源管理系统**：用于负载开关、电池管理系统（BMS）和电源分配系统，实现高效的电能控制。
　　3. **电机驱动电路**：作为H桥或半桥驱动中的开关元件，用于直流电机、步进电机等控制。
　　4. **汽车电子**：应用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）、车身控制模块等场景。
　　5. **工业自动化**：用于PLC、工业电源、变频器等设备中的功率控制模块。
　　6. **消费电子产品**：如笔记本电脑、平板电脑、电源适配器等设备中的电源管理模块。
　　7. **LED照明驱动**：用于高亮度LED驱动电路中的恒流控制和开关调节。

SiSS20DN, IRF3710, FDS6680, AO4407A