类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：200A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 21mΩ
　　封装类型：双列直插式（DIP）模块封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极驱动电压：10V 至 20V
　　短路耐受能力：具备短路保护能力
　　热阻（Rth）：芯片至外壳热阻为 0.25°C/W

WAS021G 模块采用先进的沟道 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其模块内部集成了多个 MOSFET 并联结构，提高了整体的电流承载能力，并通过优化的封装设计有效降低了热阻，使热量更容易散发。此外，该模块具备优异的开关特性，开关损耗低，适用于高频开关应用。WAS021G 还具有良好的短路和过热保护能力，增强了在高功率密度系统中的稳定性和可靠性。
　　在封装方面，WAS021G 采用模块化设计，具有良好的机械强度和绝缘性能，适用于恶劣工业环境。其绝缘电压可达到 2500V 以上，保障了系统的安全性。此外，该模块还具备良好的电磁兼容性（EMC），减少了电磁干扰（EMI），提高了整体系统的稳定性。WAS021G 在制造过程中采用了无铅工艺，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于环保要求较高的应用场合。

WAS021G 主要应用于高功率开关电源、逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器、电焊机、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。由于其高电流承载能力和低导通损耗，特别适用于需要高效能和高可靠性的工业自动化控制系统。此外，该模块还可用于电力电子转换系统、储能系统以及高频DC-DC转换器等场合。WAS021G 的高集成度和模块化设计简化了PCB布局，降低了设计复杂度，提高了系统的整体性能和可靠性。

IXFH200N60P3, IXFN200N60P3, FF200R12KT4, FGA25N120ANTD