类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：12 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：48 A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3 mΩ @ VGS = 6 V
　　栅极阈值电压（Vth）：1.5 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1020 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：230 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　最大结温（Tj）：150 °C
　　封装形式：LGA 8引脚
　　关断延迟时间（td(off)）：9 ns
　　上升时间（tr）：5 ns
　　下降时间（tf）：4 ns

WA04P003XBTL的核心优势在于其基于硅基氮化镓技术的先进半导体结构，显著提升了器件在高频开关应用中的性能表现。首先，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)）仅为3.3 mΩ，在相同电压等级下远优于传统硅MOSFET，从而大幅降低导通损耗，提升整体能效。其次，其零反向恢复电荷（Qrr = 0）特性使得在硬开关或图腾柱PFC等拓扑中不会产生额外的开关损耗，尤其在高频率运行时优势更为明显。这不仅提高了效率，还减少了对复杂散热系统的需求，有助于实现更紧凑的设计。
　　该器件的电容参数经过优化，输入电容（Ciss）为1020 pF，输出电容（Coss）为230 pF，均处于较低水平，这意味着在高速开关过程中所需的驱动能量更少，进一步降低了驱动损耗并提升了系统响应速度。同时，由于氮化镓材料本身具备更高的电子迁移率，WA04P003XBTL能够实现极快的开关速度，上升时间仅5 ns，下降时间为4 ns，关断延迟为9 ns，非常适合工作在数百kHz至MHz级别的开关电源设计。
　　WA04P003XBTL采用LGA 8引脚封装，具有优异的热传导性能和低寄生电感布局，有效减少开关过程中的电压振铃和电磁干扰（EMI）。该封装还支持双面散热，便于集成到高功率密度模块中。此外，该器件为增强型设计，即常关型，使用标准逻辑电平（如5V或6V）即可完全导通，无需复杂的负压关断电路，简化了栅极驱动设计，提高了系统的可靠性与可制造性。
　　在可靠性方面，Wolfspeed对氮化镓器件进行了严格的寿命测试和应力验证，确保WA04P003XBTL在高温、高湿、高电压等恶劣环境下仍能稳定运行。其最大结温可达150°C，并具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力（在限定条件下），适合用于工业级和通信级电源系统。综合来看，WA04P003XBTL凭借其卓越的电气性能、高频适应性和易于使用的增强型特性，成为现代高效能电源设计的理想选择。

WA04P003XBTL广泛应用于需要高效率、高功率密度和高频操作的电源系统中。其主要应用场景包括但不限于：通信电源系统中的服务器PSU（电源单元），特别是满足80 PLUS钛金能效标准的高端电源设计；数据中心内的DC-DC中间母线转换器，利用其低损耗特性提高整体能源利用率；无线充电系统，尤其是在高功率发射端，要求快速开关以实现高效的能量传输；以及光伏逆变器和储能系统的辅助电源模块。
　　在消费电子领域，该器件可用于笔记本电脑适配器、超薄电视电源板和高功率USB-C PD充电器，帮助制造商实现小型化和轻量化设计。在工业自动化设备中，WA04P003XBTL可用于PLC电源、电机驱动控制电路中的辅助供电部分，以及各类高可靠性工业电源模块。
　　此外，由于其出色的动态性能，该器件特别适合用于图腾柱无桥PFC拓扑结构，这是当前最前沿的功率因数校正方案之一，能够显著提升AC-DC转换效率并减少滤波元件体积。在LLC谐振转换器和移相全桥（PSFB）拓扑中，WA04P003XBTL也能发挥其低输出电容和快速开关的优势，实现零电压开关（ZVS）或近似软开关条件，从而最大限度地降低开关损耗。
　　随着氮化镓技术的普及，越来越多的汽车电子系统也开始采用此类高性能器件，例如车载OBC（车载充电机）和DC-DC转换器。尽管WA04P003XBTL并非车规级认证产品，但其技术路线为后续AEC-Q101合规型号奠定了基础，推动了新能源汽车电源系统的升级换代。总之，该器件适用于所有追求更高效率、更小尺寸和更高开关频率的现代电力电子系统。

EPC2045
　　GS-06S016B-L