W98AD6KBGX6E TR是一款由Winbond公司生产的高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于其移动DRAM产品系列。该芯片设计用于满足便携式电子设备对低功耗和高性能的需求,广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备和其他移动电子产品中。W98AD6KBGX6E TR采用先进的制造工艺,具备高存储密度和出色的稳定性,同时支持低电压运行,有助于延长设备的电池续航时间。该芯片的封装形式为BGA(Ball Grid Array),适合高密度PCB布局,并提供良好的散热性能。
容量:256MB
组织结构:16M x16
类型:DRAM
接口类型:Mobile SDRAM
电压:1.7V - 3.6V
时钟频率:166MHz
封装类型:BGA
引脚数:54-pin
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
W98AD6KBGX6E TR具备多项高性能和低功耗特性,非常适合用于移动设备。首先,该芯片采用低功耗设计,支持自刷新(Self-Refresh)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),有助于在设备待机或不使用内存时最大程度地降低功耗,从而延长电池寿命。其次,该DRAM芯片的工作电压范围较宽(1.7V至3.6V),使其能够兼容多种电源管理方案,适用于不同类型的移动设备。此外,W98AD6KBGX6E TR支持166MHz的时钟频率,提供较高的数据传输速率,满足设备对快速数据存取的需求。
该芯片的存储容量为256MB,组织结构为16M x16,支持16位并行数据访问,提高了数据吞吐能力。封装形式为54-pin BGA,具有较小的封装尺寸和良好的热性能,适用于空间受限的便携式设备。此外,W98AD6KBGX6E TR的工作温度范围为-40°C至+85°C,确保其在各种环境条件下都能稳定运行,满足工业级应用的可靠性要求。
在功能方面,该DRAM芯片集成了多种先进的DRAM控制技术,包括自动刷新、突发访问模式和预充电机制,以提高存储器的访问效率和系统稳定性。它还支持多种突发长度模式,用户可以根据实际应用需求进行配置,从而优化数据传输效率。这些特性使W98AD6KBGX6E TR成为高性能、低功耗移动设备的理想存储解决方案。
W98AD6KBGX6E TR广泛应用于各种便携式电子设备中,特别是对低功耗和高性能有较高要求的移动设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、GPS导航设备、无线路由器和便携式游戏设备。此外,该芯片也适用于需要高稳定性存储解决方案的工业控制系统、嵌入式设备和智能穿戴设备。由于其宽电压设计和良好的温度适应性,W98AD6KBGX6E TR也适用于一些需要在恶劣环境下运行的电子产品。
W98AD6KBHX6E TR, W98AD6JBJX6C TR