容量：256MB
　　组织结构：16位数据宽度
　　封装：54-ball BGA
　　频率：166MHz
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：5.5mm x 4.5mm
　　工艺：CMOS
　　数据保持电压：1.5V（最小）
　　时钟频率范围：0MHz 至 166MHz

W989D6CBGX-7E 是一款高性能、低功耗的 DDR SDRAM 存储器芯片，具有以下显著特性：
　　首先，该芯片采用了高速 DDR（Double Data Rate）技术，在时钟的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而实现双倍数据速率。其等效工作频率为 166MHz，对应的数据传输速率为 333Mbps，能够满足对数据传输速度要求较高的应用场景。
　　其次，该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够在不依赖外部控制器的情况下自动完成存储单元的数据刷新，从而有效降低系统功耗，延长数据保持时间。此外，其低电压设计（工作电压范围为 2.3V 至 3.6V）进一步优化了功耗表现，使其适用于电池供电或对功耗敏感的设备。
　　再者，该芯片具有较宽的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），具备良好的环境适应性和稳定性，适合工业级和车载级应用。封装方面采用 54-ball BGA 封装，体积小巧（5.5mm x 4.5mm），便于在空间受限的电路板上布局。
　　最后，W989D6CBGX-7E 提供了标准的 DDR SDRAM 接口，兼容主流的存储器控制器，简化了系统设计和集成过程。其 CMOS 工艺制造确保了器件的高集成度和可靠性，同时降低了静态电流和动态功耗。

W989D6CBGX-7E 主要应用于对存储容量和数据传输速度有一定要求的电子设备中。常见应用包括嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络通信设备、视频监控系统、车载导航系统以及消费类电子产品如智能家电、多媒体播放器等。在这些应用中，该芯片可以作为主存或缓存使用，提供快速的数据存取能力，提高系统整体性能和响应速度。由于其工业级温度范围和小型化封装，特别适合在空间受限和环境条件较为苛刻的场景中使用。

W989D6CBHX-7E, W989D6KBHX-7E, W989D6KBGX-7E