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W988D6FBGX7E TR 发布时间 时间:2025/8/21 3:36:43 查看 阅读:5

W988D6FBGX7E TR 是由 Winbond 公司生产的一款 DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高性能、低功耗系列存储器产品。该芯片采用先进的制造工艺,具有较高的稳定性和可靠性,广泛用于嵌入式系统、工业控制、通信设备等领域。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  封装:FBGA
  电压:1.8V / 2.5V
  数据速率:166MHz
  组织结构:x16
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:54-ball FBGA

特性

W988D6FBGX7E TR 的主要特性包括其高性能与低功耗设计,适合对功耗敏感的应用场景。其166MHz的数据速率确保了快速的数据存取能力,从而提高了系统的整体性能。该芯片的1.8V至2.5V工作电压范围使其具备良好的兼容性,可以与多种电源管理系统配合使用。
  此外,W988D6FBGX7E TR 采用54-ball FBGA封装,具有较小的封装尺寸,适用于空间受限的设计环境。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应了工业级应用的严苛环境需求。Winbond 作为知名存储器制造商,确保了该芯片在质量和可靠性方面达到行业领先水平。

应用

该芯片主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、消费电子产品以及汽车电子等领域。在嵌入式系统中,W988D6FBGX7E TR 可作为主存储器,为处理器提供高速的数据访问支持。在工业控制和通信设备中,其高稳定性和宽工作温度范围使其能够适应复杂的工业环境。同时,该芯片也适用于需要低功耗、高性能存储方案的便携式设备和物联网(IoT)产品。

替代型号

W988D6KHXB6E TR, W988D6JHXB6E TR

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W988D6FBGX7E TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.4 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TFBGA
  • 供应商器件封装54-VFBGA(8x9)