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W987D6HBGX7E 发布时间 时间:2025/8/21 8:18:43 查看 阅读:3

W987D6HBGX7E 是由 Winbond(华邦电子)生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于DDR3 SDRAM类别,广泛应用于工业控制、网络设备、消费电子和嵌入式系统中,为系统提供高速的数据存取能力。

参数

容量:1 Gb(128 MB)
  组织结构:x16
  封装类型:BGA(球栅阵列封装)
  电压:1.35V(低电压DDR3,LVDDR3)
  时钟频率:800 MHz(等效数据速率 1600 Mbps)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:93-ball BGA
  数据预取:8n 预取
  突发长度:BL8(突发长度为8)

特性

W987D6HBGX7E 是一款低功耗 DDR3 SDRAM 芯片,专为高性能、低功耗应用而设计。其采用 1.35V 的低压供电,相较于标准 DDR3 的 1.5V,功耗降低约 20%,非常适合对能效有高要求的嵌入式和便携设备。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,确保在低功耗模式下数据依然保持稳定。
  此外,W987D6HBGX7E 支持温度补偿自刷新(TCAR)功能,能够在不同温度环境下自动调整刷新周期,以提高数据的稳定性并降低功耗。该芯片还具备内部 DLL(延迟锁定环路)功能,以实现更高的时钟同步精度,从而提升系统稳定性。
  在封装方面,该芯片采用 93-ball BGA 封装,具有良好的热管理和空间节省特性,适用于紧凑型 PCB 设计。其工作温度范围为工业级标准(-40°C 至 +85°C),适用于各种严苛的工业环境。

应用

W987D6HBGX7E 广泛应用于对性能和功耗有较高要求的嵌入式系统,如智能家电、工业控制设备、网络路由器、安防摄像头、手持终端设备以及车载电子系统。由于其高带宽和低功耗特性,该芯片也适用于电池供电设备,如平板电脑、POS 终端及便携式医疗设备。

替代型号

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W987D6HBGX7E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织8M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.4 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TFBGA
  • 供应商器件封装54-VFBGA(8x9)