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W987D2HBJX6E 发布时间 时间:2025/8/21 3:06:28 查看 阅读:27

W987D2HBJX6E 是一款由 Winbond 公司生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高性能、低功耗的移动DRAM产品系列。该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对内存性能和功耗有较高要求的便携式设备中。W987D2HBJX6E 采用先进的制造工艺,具备较高的存储密度和数据传输速率,同时支持多种节能模式以延长设备的电池寿命。

参数

容量:2Gb
  组织结构:x16
  电压:1.5V / 1.35V / 1.25V(根据工作模式)
  封装类型:FBGA
  封装尺寸:108-ball FBGA
  时钟频率:最高可达 800MHz
  数据速率:1600Mbps(双倍数据速率)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口标准:JEDEC 兼容

特性

W987D2HBJX6E 具备多项先进的技术特性,首先是其低电压设计,支持 1.5V、1.35V 和 1.25V 多种电压模式,适应不同的功耗需求,尤其适用于移动设备。其采用的双倍数据速率(DDR)技术能够在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据,从而显著提高数据吞吐量。此外,该芯片支持多种节能模式,包括自刷新模式(Self-Refresh Mode)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),以在设备待机或低活动状态下显著降低功耗。
  该芯片的封装形式为 108-ball FBGA,体积小巧,适合空间受限的便携设备设计。同时,其支持的 JEDEC 标准确保了与其他系统组件的兼容性,简化了系统设计和集成过程。W987D2HBJX6E 还具备良好的温度适应能力,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于多种环境条件下的稳定运行。

应用

W987D2HBJX6E 主要用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、嵌入式控制系统以及需要高性能、低功耗内存的便携式电子产品中。由于其高带宽和低功耗的特性,也非常适合用于图形处理、多媒体播放、多任务处理等对内存性能要求较高的应用场景。此外,该芯片还可用于工业控制、车载电子系统和物联网设备等领域。

替代型号

AS46D32M16A2B4-8B, K4B2G1646C-BCK0, MT48LC16M16A2B4-8A

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W987D2HBJX6E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织4M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.4 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-VFBGA(8x13)