容量：64 Mbit
　　组织方式：4M x 16 位
　　类型：EDO DRAM
　　访问时间：50ns
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54-pin

W986432BH-6 是一种 EDO（Extended Data Out）DRAM，与传统的 FPM（Fast Page Mode）DRAM 相比，EDO 技术可以在不增加时钟频率的情况下提高数据访问效率，因为它允许数据在地址变化后仍然保持输出状态，从而减少等待周期。
　　该芯片的工作电压为标准 3.3V，能够兼容大多数嵌入式系统的电源设计，同时具有较低的功耗和较好的稳定性。封装形式为 54-pin TSOP（Thin Small Outline Package），这种封装方式具有较小的体积和良好的散热性能，适用于对空间有限制的设计。
　　其 50ns 的访问时间表明它适用于中等速度的存储器应用场景，尽管不如 SDRAM 或更现代的 DDR SDRAM 快速，但在一些对成本和功耗敏感的老式设备或特定控制系统中仍然具有一定的应用价值。
　　此外，W986432BH-6 的设计符合工业级可靠性标准，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于各种工业控制和嵌入式系统。

W986432BH-6 通常用于需要中等容量 RAM 的嵌入式系统、工业控制设备、老式计算机主板、视频采集卡、网络设备和通信模块等。由于其 EDO 特性和相对较低的成本，它在一些对性能要求不极端、但需要稳定存储解决方案的应用中仍然具有一定的市场。此外，该芯片也常用于一些需要扩展内存容量的老旧设备升级项目中。

W986432BH-6 的替代型号包括 W986432BH-6J、W986432BH-7J、W986432BH-8J 等不同速度等级的版本，以及同为 EDO DRAM 的 48LC16M1A2B4-6A 和 48LC16M1A2B4-7A 等型号。