容量：4MB
　　组织结构：256K x 16 位
　　工作电压：3.3V
　　访问时间：7.5ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行接口
　　时钟频率：最大支持 133MHz

W9825G6ET-75 采用 EDO（Extended Data Out）技术，使得数据在地址切换时保持更长时间，从而提高了内存访问效率。该芯片具有较低的功耗设计，适用于对功耗有一定要求的嵌入式应用。其 3.3V 电源供应使其与许多现代逻辑电路兼容，并减少了额外的电源管理电路需求。TSOP 封装形式有助于减少 PCB 板的空间占用，同时提供良好的散热性能。此外，该芯片具有较高的可靠性和稳定性，适合在工业环境中长期运行。
　　这款 DRAM 芯片的高速访问时间为 7.5ns，意味着其最大工作频率可达 133MHz，这在许多需要快速数据读写的应用中非常有用。其并行接口设计使得它可以与多种处理器和控制器直接连接，而无需额外的桥接电路，从而简化了系统设计并降低了成本。W9825G6ET-75 的 EDO 特性还允许在下一个地址周期开始时仍然保持当前数据输出，减少了内存访问延迟，提高了整体系统性能。

W9825G6ET-75 常用于工业控制设备、嵌入式系统、老式计算机主板、图形加速器、网络设备以及视频游戏机等需要中等容量高速存储的场景。由于其高稳定性和宽温度范围，它也适用于一些工业自动化和通信设备中作为系统内存使用。此外，该芯片也可用于开发板和实验平台，为嵌入式开发提供可靠的内存支持。

W9825G6EH-75, W9864G6JH-75, HY57V2561620BCT-7B, MT48LC16M2A2B4-6A