容量：256 KB（256K x 4位）
　　类型：EDO DRAM
　　电压：3.3V 或 5V 可选
　　封装：32引脚 SOP / TSOP
　　访问时间：7.5 ns
　　最大频率：166 MHz
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 70°C）可选
　　数据宽度：4位
　　刷新方式：自动刷新

W982504BH-75 是一款高性能 EDO DRAM 存储器，相较于传统的 FPM（快速页面模式）DRAM，EDO DRAM 具有更高的数据传输效率，因为它允许在读取下一个数据之前不释放当前地址，从而缩短了存取周期。W982504BH-75 的访问时间为 7.5 ns，支持高达 166 MHz 的工作频率，能够满足嵌入式系统和工业控制设备对高速数据处理的需求。该芯片支持自动刷新功能，有助于维持数据完整性，减少外部控制器的负担。此外，该芯片提供 3.3V 和 5V 两种电压选项，增强了其在不同系统设计中的兼容性。W982504BH-75 的封装形式为 32 引脚 SOP 或 TSOP，适用于空间受限的应用场景。其工作温度范围覆盖工业级和商业级两种版本，适合多种环境条件下的稳定运行。这些特性使得 W982504BH-75 成为工业控制、通信设备、嵌入式系统等领域的理想选择。
　　此外，W982504BH-75 在设计上采用了低功耗技术，有助于延长设备的使用寿命并降低整体功耗。其高稳定性和可靠性使其在恶劣环境下也能保持良好的性能表现。

W982504BH-75 主要用于需要高速缓存或辅助存储的嵌入式系统、工业控制模块、通信设备（如路由器、交换机）、测试测量仪器、以及部分老款计算机外设。由于其具备较高的存取速度和较低的功耗，也适用于需要长时间运行且对稳定性要求较高的工业现场设备中。此外，该芯片也可用于 FPGA 或 ASIC 的外部缓存扩展，提高数据处理效率。
　　在某些需要与处理器配合使用的场合，W982504BH-75 可作为高速缓冲存储器，用于提升系统响应速度和运行效率。例如，在工业自动化控制设备中，它可以作为临时存储器保存控制逻辑或状态数据；在通信设备中，可用于缓存数据包或协议信息，从而提高数据交换效率。

W982504AH-75, W98C2504BH-75, HM628400BP, CY62148BLL