容量：128K x 8 位
　　组织方式：128K地址 x 8位数据宽度
　　电源电压：5V ± 10%
　　最大存取时间：55ns / 60ns / 70ns（根据后缀不同）
　　封装形式：28引脚 SOP（Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持时间：EDO（Extended Data Out）模式
　　刷新周期：64ms
　　封装尺寸：约19.6mm x 7.6mm

W9812GGJB-GI 是一款基于EDO DRAM技术的存储芯片，相较于传统的FPM（Fast Page Mode）DRAM，EDO技术能够在不增加时钟频率的情况下提升数据吞吐率，因为它允许在输出数据的同时开始下一个地址的访问过程，从而减少了等待时间，提高了整体性能。
　　这款芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗特性，适用于需要节能设计的嵌入式系统和便携设备。其标准的28引脚SOP封装形式，使其易于在印刷电路板上安装和焊接，适用于多种电路设计需求。
　　W9812GGJB-GI 的55ns存取时间版本适用于需要快速数据访问的高性能应用，而70ns版本则更适用于成本敏感或对速度要求不高的场合。芯片内置刷新电路，支持自动刷新和隐藏刷新模式，减少了外部控制器的负担，提高了系统的稳定性。
　　由于其较高的稳定性和广泛的应用基础，W9812GGJB-GI 成为了许多老旧工业设备、自动化控制系统以及早期PC扩展卡的理想选择。即使在现代电子设计中，它仍然被用于一些维护和替换项目中。

W9812GGJB-GI 主要应用于以下领域：
　　1. 工业控制系统：如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备等，用于存储运行时数据或缓存程序指令。
　　2. 嵌入式设备：例如老式的智能仪表、通信模块和小型控制系统中，用于提供额外的内存支持。
　　3. 个人计算机：早期PC的扩展卡、显卡或主板内存中，尤其是在EDO内存普及的年代，该芯片常用于构建系统缓存或视频内存。
　　4. 教学与科研设备：在电子工程教学实验中，用于演示DRAM工作原理和存储器扩展技术。
　　5. 维修与替换：用于老旧设备的维护，替换损坏的同规格DRAM芯片，确保设备继续正常运行。

W9812G2JB-60, W9812G2JB-70, W9812G2JB-55, HY61V1288B-ED55, HY61V1288B-ED70