容量：256Mbit（32MB）
　　类型：DRAM（PSRAM）
　　封装：TSOP
　　引脚数：54pin
　　工作电压：1.8V - 3.3V
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据宽度：16位
　　接口类型：异步

W97BH2MBVA1E 具有多种先进的功能和设计特点。其PSRAM技术使其在保持DRAM高密度存储优势的同时，具有接近SRAM的使用简便性和读写速度。芯片支持异步操作，可以灵活地与不同的控制器或处理器配合使用。工作电压范围为1.8V至3.3V，允许其在多种电源环境中运行，提高了系统的兼容性和灵活性。
　　此外，该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在极端温度条件下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。封装形式为54引脚TSOP，有助于减少PCB板的空间占用，同时保证良好的电气性能和散热能力。其访问时间为10ns，为数据存取提供了高效的响应速度，适用于需要快速读写的系统设计。

W97BH2MBVA1E 被广泛应用于需要大容量、高性能存储的嵌入式系统和工业设备中。例如，在工业控制设备中，该芯片可以作为高速缓存或临时数据存储器，提升系统的整体运行效率。在通信设备中，该DRAM芯片可用于存储和处理高速传输的数据流，满足网络设备对存储容量和速度的需求。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品，如数码相机、智能电视和多媒体播放器，用于临时存储视频、图像和音频数据，以提升设备的多媒体处理能力。在汽车电子系统中，如车载导航系统和信息娱乐系统，W97BH2MBVA1E 能够提供可靠的存储支持，确保数据在复杂环境下稳定读写。由于其宽温范围和低功耗设计，该芯片也适用于物联网（IoT）设备和可穿戴电子产品，为这些设备提供高效、稳定的存储解决方案。

W97BH2MBAA1E, W97BH2MBFA1E