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W97AH6NBVA1I 发布时间 时间:2025/8/20 9:11:02 查看 阅读:23

W97AH6NBVA1I 是由 Winbond(华邦电子)生产的一款 LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)芯片。这款存储器专为低功耗应用设计,适用于高性能计算设备、移动设备以及便携式电子产品。W97AH6NBVA1I 的封装形式为 BGA,具备较高的集成度和稳定性,能够满足现代设备对内存容量和速度的需求。

参数

容量:4Gb
  类型:LPDDR4 SDRAM
  封装:BGA
  电压:1.1V / 1.8V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  接口:JEDEC 标准 LPDDR4 接口

特性

W97AH6NBVA1I 是一款高性能、低功耗的 LPDDR4 存储器芯片,具有出色的稳定性和可靠性。该芯片采用了先进的 DRAM 工艺技术,能够在较低的电压下运行,从而显著降低功耗,延长设备的电池续航时间。此外,W97AH6NBVA1I 支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,以适应不同的应用需求。其 JEDEC 标准的 LPDDR4 接口确保了与主流控制器的兼容性,并提供高速的数据传输速率。该芯片的封装形式为 BGA,具有良好的散热性能,适合高密度的 PCB 设计。此外,W97AH6NBVA1I 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于工业级和消费级的各种应用场景。

应用

该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备以及物联网设备等需要高性能、低功耗内存的场景。

替代型号

W97AH6KBHX1I,W97AH6JBJX1I

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W97AH6NBVA1I参数

  • 现有数量307现货
  • 价格1 : ¥45.23000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口HSUL_12
  • 时钟频率533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳134-VFBGA
  • 供应商器件封装134-VFBGA(10x11.5)