W979H2KBVX2I 是一款由 Winbond(华邦电子)生产的高带宽内存(HBM,High Bandwidth Memory)芯片。这款内存芯片专为高性能计算(HPC)、图形处理、AI 加速器和数据中心应用而设计,旨在提供极高的内存带宽和能效。HBM 技术通过 3D 堆叠和硅通孔(TSV)技术将多个 DRAM 芯片堆叠在一起,并通过一个宽总线接口连接到 GPU 或其他处理器,从而显著提升数据传输速率并降低功耗。
容量:2GB 或 4GB(根据具体规格)
内存类型:HBM2(High Bandwidth Memory Generation 2)
带宽:高达 256GB/s(取决于堆叠层数和时钟频率)
I/O 电压:1.2V 或 1.0V(根据运行模式)
核心电压:1.2V 或 0.8V
封装尺寸:约 5.5mm x 7.5mm(HBM 标准封装)
堆叠层数:通常为 4 层(HBM2)
制造工艺:大约 20nm 或更先进工艺节点
HBM2 技术提供极高的内存带宽,适用于 GPU、AI 加速器和高性能计算系统。
采用 3D 堆叠和硅通孔(TSV)技术,显著减少内存模块的物理尺寸。
相比传统 GDDR5 或 GDDR6 显存,HBM2 在相同带宽下功耗更低,能效更高。
支持多种运行模式,包括低功耗模式和高性能模式,以适应不同的应用场景。
具备 ECC(错误校正码)功能,提升数据完整性和系统稳定性。
采用 JEDEC 标准接口,便于与多种 GPU 和 FPGA 设计兼容。
可支持多通道并行访问,提升数据吞吐能力。
用于高端显卡(如 NVIDIA Tesla、AMD Radeon Instinct 系列)以加速深度学习和科学计算。
应用于 AI 推理和训练加速器,如 Google TPU、华为 Ascend 等芯片中。
用于高性能计算(HPC)系统,如超级计算机和数据中心加速卡。
在 4K/8K 图形渲染和虚拟现实(VR)系统中提供高带宽显存支持。
可用于 FPGA 加速系统,如 Xilinx Alveo 或 Intel Stratix 系列产品。
HBM2E 系列(如 SK Hynix HBM2E-4GB-3.6TB/s)
NVIDIA 自研 HBM2 内存模块
Xilinx Alveo U50 所使用的 HBM2 内存
三星电子 HBM2(如 ‘Aquabolt’ 系列)
AMD Radeon Instinct MI100 所使用的 HBM2 配置