W979H2KBVX2E 是由 Winbond(华邦电子)生产的一款高密度、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于DDR4 SDRAM类别,适用于需要高性能存储解决方案的应用,如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费类电子产品。这款存储芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,提供了较高的数据传输速率和稳定性。
容量:2GB(256M x 16)
类型:DDR4 SDRAM
电压:1.2V
频率:2400Mbps
封装:134-ball BGA
温度范围:0°C 至 85°C
W979H2KBVX2E 具备低功耗设计,支持多种节能模式,从而在不同工作环境下都能保持稳定的性能表现。该芯片支持自刷新(Self-Refresh)模式和温度补偿自刷新(Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR)技术,有助于在低功耗状态下维持数据完整性。此外,该芯片支持8个内部银行(bank groups),允许更高效的数据访问和并发操作。W979H2KBVX2E 采用先进的1xnm制程技术,具备较高的集成度和较低的功耗,同时保持高速数据传输能力。其BGA封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性,适合在高振动或复杂环境中使用。芯片还具备良好的热管理能力,可以在较高的环境温度下正常工作,适用于工业级应用场景。
W979H2KBVX2E 适用于多种嵌入式系统和高性能计算设备,如工业控制主板、智能电视、网络路由器、安防监控设备、车载信息娱乐系统以及高端消费电子产品。由于其低功耗和高密度的特性,它也广泛用于需要长时间运行和稳定存储性能的工业设备中。此外,该芯片还可用于边缘计算设备、物联网网关以及AIoT(人工智能物联网)应用中,作为主存储器或缓存使用。
AS48L16A2B4-6A, MT48LC16M16A2B4-6A, EM78H160AF-24H