类型: DRAM
　　接口类型: DDR2 SDRAM
　　容量: 256MB
　　位宽: x16
　　工作电压: 1.8V
　　封装类型: TSOP
　　数据速率: 400MHz
　　时钟频率: 200MHz
　　CL（CAS 延迟）: 4
　　tRC（行周期时间）: 10ns
　　tRAS（行激活时间）: 42ns
　　tRP（行预充电时间）: 10ns

W972GG8JB18 具备低电压设计，支持 1.8V 工作电压，有助于降低整体功耗，适合便携式设备和嵌入式系统使用。该芯片采用 DDR2 技术，在保持较高数据传输速率的同时，也具备较好的稳定性与兼容性。其 x16 位宽设计提供了更高的数据吞吐能力，适合需要较高内存带宽的应用场景。此外，该芯片采用 TSOP 封装形式，便于焊接与使用，广泛应用于各种工业与消费类电子产品中。DDR2 接口的标准化设计也确保了其在不同主板或控制器平台上的兼容性，降低了系统集成的难度。
　　该芯片在温度适应性方面表现良好，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级应用。同时，W972GG8JB18 还具备良好的数据保持能力，通过定期刷新操作可确保数据的完整性。其 CAS 延迟为 4，行周期时间为 10ns，整体性能在 DDR2 SDRAM 芯片中处于中等水平，适用于对成本和性能都有一定要求的设计项目。

W972GG8JB18 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品、网络设备以及手持设备等。该芯片特别适用于对内存容量有一定要求但不需要极高带宽的应用场景，如工业人机界面、小型路由器、智能家电、医疗仪器等设备。由于其低功耗特性和良好的稳定性，该芯片也常用于便携式设备中，如电子书阅读器、智能穿戴设备等。此外，在一些对成本敏感且对内存性能要求适中的系统中，W972GG8JB18 也是理想的选择。

MT48LC16M16A2B4-6A, K4T1G164QF-LCB8