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W966D6HBGX7I 发布时间 时间:2025/8/21 4:15:52 查看 阅读:7

W966D6HBGX7I 是一款由 Winbond(华邦电子)推出的高性能、低功耗的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其 Mobile DRAM 系列,专为移动设备和高性能嵌入式系统设计。该芯片采用先进的制造工艺,提供高密度存储能力,适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备及其他需要高效内存管理的电子产品。

参数

制造商:Winbond
  产品类型:DRAM
  产品系列:Mobile DRAM
  型号:W966D6HBGX7I
  容量:256MB / 512MB(具体容量视版本而定)
  数据速率:高达 400MHz
  电压:1.5V / 1.35V(低电压设计)
  封装类型:BGA
  引脚数:根据具体封装而定
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

W966D6HBGX7I 采用先进的低功耗设计,支持多种节能模式,包括自刷新模式(Self-Refresh Mode)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),可在设备待机或低负载时显著降低功耗。
  该芯片支持高频率数据传输,具备良好的时序控制能力,确保数据在高速运行下的稳定性与完整性。
  内置温度补偿自刷新(TCSR)功能,可根据环境温度自动调整刷新频率,从而降低能耗并延长设备电池寿命。
  采用先进的封装技术,确保在紧凑空间内的稳定散热,同时提高设备的整体可靠性。
  支持多种数据总线宽度配置,适应不同的系统需求,增强设计灵活性。

应用

该芯片广泛应用于高性能移动设备和嵌入式系统中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式媒体播放器以及需要大容量内存和低功耗特性的物联网设备。

替代型号

AS48C16A2A2B4-6A / MT48LC16M2A2B4-6A / EMIF0832B4BFA-6A

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W966D6HBGX7I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-VFBGA
  • 供应商器件封装54-VFBGA(6x8)