W949D2KBJX6E 是一款由Winbond公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高性能、低功耗的移动DRAM系列,专为便携式电子设备和高性能计算应用设计。该型号采用了先进的制造工艺,具备较高的存储密度和较快的数据访问速度,适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的设备。
容量:2GB(256M x 8)
类型:LPDDR4 SDRAM
封装:130-ball BGA
电压:1.1V(核心电压)/ 1.5V(I/O电压)
频率:最高支持1600MHz
数据速率:3200Mbps(数据传输速率)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
W949D2KBJX6E 是一款高性能低功耗DDR4 SDRAM芯片,采用了先进的制造工艺和优化的电路设计,使其在保证高速数据传输的同时实现较低的能耗。其核心电压为1.1V,I/O电压为1.5V,适合用于对电池寿命要求较高的移动设备。该芯片支持多种低功耗模式,包括自刷新、深度掉电模式等,能够在设备待机或低负载状态下显著降低功耗。
该芯片采用130-ball BGA封装形式,具备良好的散热性能和稳定性,能够在各种复杂环境下稳定运行。其最大数据传输速率达到3200Mbps,支持快速的读写操作,适用于需要大量数据处理的应用场景,如高清视频播放、大型应用程序运行等。
此外,W949D2KBJX6E 提供了多种刷新模式和错误校正功能,确保数据在长时间存储过程中保持稳定和可靠。它还支持温度传感器功能,可以根据芯片的工作温度调整刷新率,进一步优化性能和功耗。
该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式游戏机、可穿戴设备以及嵌入式计算系统等需要高性能、低功耗存储解决方案的设备。由于其高带宽和低延迟特性,也适用于图形处理、AI推理和多媒体处理等高要求的场景。
W949D2KBHX6E, W949D2KAYX6E