时间：2025/8/21 2:31:03
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W949D2DBJX5I TR 是Winbond公司推出的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，采用BGA（球栅阵列）封装，适用于需要高速数据访问的工业级应用。这款DRAM芯片具有低功耗、高密度和高速传输的特点，广泛用于网络设备、通信设备和嵌入式系统。
容量：256MB
数据宽度：16位
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：BGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
接口类型：异步
时钟频率：166MHz
组织结构：256M x 16
W949D2DBJX5I TR 是一款高性能的异步DRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，具有出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括低功耗设计，适用于对能耗敏感的工业设备；高速数据访问能力，支持高达166MHz的时钟频率，能够满足高速缓存和实时数据处理的需求；宽电压范围（2.3V至3.6V）使其适应不同的电源供应环境；此外，该芯片支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围，适合在严苛的工业环境中使用。
该芯片的异步接口设计简化了控制逻辑，使其在不需要复杂时序控制的应用中更容易集成。同时，其BGA封装形式提供了良好的散热性能和紧凑的安装空间，非常适合空间受限的设计需求。
在数据存储方面，该DRAM芯片采用动态存储单元结构，具有较高的集成度和较低的成本，适用于需要大容量临时存储的场景。
W949D2DBJX5I TR 主要用于嵌入式系统、工业计算机、网络路由器、交换机、视频采集与处理设备等需要高速、低功耗存储的应用场合。此外，它也适用于消费类电子产品，如智能电视、机顶盒等。
W949D2DB4H5I TR, W949D2DB6H5I TR
