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W949D2DBJX5E TR 发布时间 时间:2025/8/21 0:14:59 查看 阅读:3

W949D2DBJX5E TR 是Winbond公司生产的一款DRAM内存芯片。这款芯片以其高存储密度、快速的数据存取速度和低功耗设计而闻名,适用于需要高性能存储解决方案的各类电子设备。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了在复杂环境下的稳定运行。W949D2DBJX5E TR 的封装形式为BGA(Ball Grid Array),这种封装形式提供了更高的引脚密度,减少了封装尺寸,同时改善了散热性能。

参数

存储容量:4Gb
  数据速率:800Mbps
  工作电压:1.35V ~ 1.5V
  封装类型:x16 BGA
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  接口类型:DDR3 SDRAM
  时钟频率:400MHz

特性

W949D2DBJX5E TR 是一款高性能的DDR3 SDRAM芯片,其存储容量为4Gb,能够满足现代电子设备对大容量存储的需求。该芯片支持800Mbps的数据传输速率,确保了数据的快速存取,提升了系统性能。芯片的工作电压范围为1.35V至1.5V,具有较低的功耗,适合对能耗有严格要求的应用场景。
  W949D2DBJX5E TR 采用x16 BGA封装形式,这种封装方式提供了更高的引脚密度,减小了封装尺寸,同时改善了散热性能,提高了芯片的可靠性。芯片支持DDR3 SDRAM接口,兼容性强,易于集成到现有系统中。
  此外,W949D2DBJX5E TR 支持-40°C至+85°C的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行,适用于工业控制、通信设备、消费电子等多种应用场景。芯片内置多种功能,如自动刷新、自刷新、模式寄存器设置等,进一步增强了其灵活性和可靠性。

应用

W949D2DBJX5E TR 适用于多种高性能存储需求的场合,包括但不限于网络设备、工业控制系统、嵌入式系统、图形处理单元(GPU)、个人电脑和服务器等。其高存储容量和快速的数据存取速度使其成为需要高效数据处理能力设备的理想选择。

替代型号

W97HB48J5E TR, W97HB48J5C TR

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W949D2DBJX5E TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥21.99096卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织16M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-VFBGA(8x13)