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W948D6FBHX6G 发布时间 时间:2025/8/20 15:01:16 查看 阅读:6

W948D6FBHX6G 是由 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于 Winbond 的 Mobile DRAM 系列,专为移动设备和嵌入式系统设计,提供高容量和高效能的存储解决方案。

参数

容量:4Gb
  类型:DRAM
  组织结构:x16
  频率:800MHz
  电压:1.5V / 1.35V
  封装:BGA
  封装尺寸:120-TFBGA
  数据速率:1600Mbps
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

W948D6FBHX6G 采用先进的 DRAM 技术,具备低功耗特性,适合用于电池供电的设备,如智能手机、平板电脑和便携式游戏设备。该芯片支持多种低功耗模式,包括自刷新模式(Self-Refresh)和深度掉电模式(Deep Power-Down),有助于延长设备的电池续航时间。
  此外,该芯片支持高数据速率传输,能够满足高性能应用处理器对内存带宽的需求。封装尺寸紧凑,适合用于空间受限的便携设备。W948D6FBHX6G 还具备良好的热稳定性和电气稳定性,能够在严苛的环境条件下可靠运行。

应用

该芯片广泛应用于移动通信设备,如智能手机和平板电脑。此外,它还适用于嵌入式系统、便携式多媒体设备、工业控制设备以及网络设备。由于其低功耗和高性能的特点,W948D6FBHX6G 也适用于需要高效能内存的物联网(IoT)设备。

替代型号

W948D6KBHX6E, W949D6KBHX6I, MT48LC16M16A2B4-6A, K4B4G1646Q-BCMA

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W948D6FBHX6G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-VFBGA(8x9)