时间：2025/8/21 3:56:18
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W947D6HBHX5I TR 是Winbond公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高性能、低功耗的移动DRAM产品线，主要面向移动设备和嵌入式系统。该芯片采用了LPDDR4X技术，提供高速数据传输能力，同时在功耗方面进行了优化，非常适合用于智能手机、平板电脑、便携式电子设备以及其他对功耗敏感的嵌入式应用。
类型：DRAM
内存类型：LPDDR4X SDRAM
容量：8GB（64M x 16）
封装类型：BGA
工作电压：1.1V / 0.6V（核心/IO）
数据速率：4266 Mbps
接口：JEDEC标准接口
时钟频率：2133MHz
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：9mm x 13mm
封装引脚数：216-ball
制造工艺：约1x nm
数据总线宽度：16位
封装形式：FBGA
功耗：低功耗设计，支持多种节能模式
内存架构：双Bank组（Dual Bank Group）
W947D6HBHX5I TR 的核心特性包括其基于LPDDR4X技术的高性能与低功耗设计，使其适用于现代移动设备。该芯片支持高数据传输速率，达到4266 Mbps，能够满足高清视频播放、图形密集型游戏和多任务处理的需求。同时，其低电压设计（1.1V核心电压和0.6V I/O电压）显著降低了功耗，延长了电池寿命。该芯片还支持多种节能模式，如深度掉电模式、自刷新模式和时钟停止模式，进一步优化系统功耗。
此外，W947D6HBHX5I TR 采用双Bank组架构，提高了内存访问效率，并减少了延迟。其JEDEC标准接口确保了与其他系统的兼容性，并支持多种移动平台的快速集成。该芯片的封装尺寸为9mm x 13mm，适用于空间受限的嵌入式应用。制造工艺方面，采用了先进的1x nm制程技术，提升了芯片的稳定性和可靠性。此外，该芯片具有良好的温度适应能力，能够在-40°C至+85°C的工作温度范围内稳定运行，适用于各种工业和消费类应用环境。
W947D6HBHX5I TR 主要应用于高性能移动设备，如智能手机和平板电脑，尤其是在需要高带宽内存支持的多核处理器系统中。它也广泛用于嵌入式计算平台、便携式媒体播放器、工业控制系统、车载信息娱乐系统（IVI）、AR/VR头戴设备以及需要高容量、低功耗内存的物联网设备。由于其低功耗特性和高数据传输速率，该芯片也适用于边缘计算设备、AI加速模块以及需要高效内存管理的移动摄影与视频处理系统。
W947D6HBHX5I-TR 可以与美光（Micron）的LPDDR4X内存芯片如MT58L256A2BA-426Q、三星（Samsung）的LPDDR4X系列芯片如K3UH70B70AM-CGCL，以及SK Hynix的H9HP55A4GME0YMR等型号互换使用，具体取决于封装尺寸、容量和系统接口要求。
