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W947D2HBJX5E TR 发布时间 时间:2025/8/21 3:35:43 查看 阅读:6

W947D2HBJX5E TR 是由 Winbond 公司生产的一款高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于其特定的 DRAM 产品线。该芯片采用 BGA(Ball Grid Array)封装形式,适用于需要大容量内存和高速数据处理的应用场景。TR 版本通常指卷带包装(Tape and Reel),适用于自动化生产和贴片工艺。该器件具有稳定的工作性能和良好的可靠性,适用于工业级环境。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  封装:BGA
  组织结构:x16位
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz
  数据宽度:16位
  封装尺寸:54-ball BGA

特性

W947D2HBJX5E TR 提供了高性能的存储解决方案,具备出色的存取速度和数据传输能力,适用于对存储性能有较高要求的设备。该芯片的 x16 数据宽度设计使其能够在单次操作中处理更多数据,提高系统效率。
  此外,该芯片采用工业级温度范围设计(-40°C 至 +85°C),能够在严苛的环境条件下稳定工作,适用于工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统等应用场景。其 BGA 封装不仅节省空间,还能提供良好的散热性能,满足高密度 PCB 设计的需求。
  工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,允许在多种电源条件下运行,增强了其兼容性。同时,该器件具备较低的功耗设计,有助于延长设备的电池寿命,特别是在便携式电子产品中具有优势。

应用

该芯片广泛应用于工业自动化设备、嵌入式系统、网络通信设备、视频处理系统、智能家电、手持设备、车载电子系统以及其他需要高速缓存和大容量存储的电子设备中。其高性能和高可靠性使其成为工业和通信领域的理想选择。

替代型号

W947D2HBJS5E TR, W947D2HBZP5E TR, W947D2HBXK5E TR

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W947D2HBJX5E TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织4M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-VFBGA(8x13)