W73B586B-9L 是 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器 (SRAM) 芯片。这款器件专为需要高速数据访问和低功耗应用而设计,适用于网络设备、通信系统、工业控制设备以及嵌入式系统等领域。W73B586B-9L 提供了 256K x 16 位的存储容量,采用异步SRAM架构,具备快速读写能力。该芯片采用 54 引脚 TSOP 封装,便于在高密度电路板上安装和使用。
存储容量:256K x 16 位
工作电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:9 ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
功耗(典型值):100 mA(待机模式下 10 mA)
最大读写电流:150 mA
数据保持电压:1.5V
封装尺寸:18mm x 22mm
W73B586B-9L 是一款高性能异步SRAM芯片,具备高速访问和低功耗的特点。该芯片在9 ns的访问时间内可提供高速数据读写操作,适合对时间敏感的应用场景。工作电压范围为2.3V至3.6V,使其能够适应多种电源设计要求。在待机模式下,电流消耗可降至10mA,极大地延长了电池供电设备的续航时间。此外,该芯片支持数据保持电压低至1.5V,确保在电源电压下降时数据不会丢失。其封装尺寸为18mm x 22mm,符合TSOP封装标准,适合高密度PCB布局。
W73B586B-9L 采用了先进的CMOS工艺制造,确保了器件的稳定性和可靠性,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),能够在严苛环境中稳定工作。芯片内置的地址和数据锁存功能,使得系统设计更加简便。同时,该器件支持异步控制信号,如片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),便于与多种控制器或处理器连接,实现灵活的系统集成。
W73B586B-9L SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和低功耗的各类电子设备中。常见的应用包括网络路由器和交换机中的数据缓冲、嵌入式系统的临时存储器、工业控制系统中的高速缓存以及视频处理设备中的帧缓冲。此外,该芯片也适用于便携式电子产品,如智能仪表、数据采集设备和手持终端,为其提供稳定、快速的存储支持。由于其工业级温度范围和高可靠性,W73B586B-9L 也适用于汽车电子系统、安防设备和通信基站等严苛环境下的应用场景。
W73B586B-9L 可以被以下型号替代:CY62167VLL-55BZS、IS61LV25616-10BLLI、IDT71V416S10PFGI、A2B2516512B9WG6等。这些型号在功能和引脚兼容性上具有相似性,但在参数和性能方面可能略有差异,使用时需确认是否符合系统要求。