W681360RG 时间：2025/8/21 11:36:28 阅读：29

W681360RG 是一款由 Winbond（华邦电子）生产的高性能、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件通常用于需要高速数据存取和可靠存储的应用场景，例如嵌入式系统、工业控制、通信设备和消费类电子产品。W681360RG 是一种异步 SRAM，具有较高的稳定性和广泛的工作温度范围，适用于各种严苛环境下的应用。

参数

容量：1Mb (64K x 16)
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns、70ns、100ns 可选
　　封装形式：TSOP、SOJ、PLCC
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　输入/输出电平：CMOS 兼容
　　封装引脚数：54 引脚

特性

W681360RG 是一款高性能异步 SRAM，具备出色的读写速度和稳定性。其 64K x 16 位的存储架构可提供 1Mbit 的总容量，适合用于需要大容量 SRAM 的系统。该芯片支持 CMOS 输入/输出电平，确保与多种主控设备的兼容性。此外，W681360RG 提供多种封装选项，包括 TSOP、SOJ 和 PLCC，便于根据不同的 PCB 设计需求进行选择。其低功耗设计使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。W681360RG 的工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣环境下稳定运行。
　　该芯片的访问时间可选为 55ns、70ns 或 100ns，满足不同性能等级的需求。异步操作模式允许灵活的控制时序，便于系统集成。此外，W681360RG 支持自动低功耗模式（待机模式），在未被访问时降低功耗，从而提高能效。这种特性在嵌入式系统和工业控制器中尤为重要，因为它有助于延长设备的使用寿命并降低整体功耗。
　　在可靠性方面，W681360RG 采用高质量的 CMOS 工艺制造，确保了长期运行的稳定性和耐用性。其内部设计具备抗干扰能力，可在高噪声环境中维持数据完整性。同时，该芯片的地址和数据总线独立控制，使得访问过程更加高效，减少时序冲突的可能性。

应用

W681360RG 广泛应用于需要高速、低功耗和大容量 SRAM 的电子系统中。例如，该芯片可用于工业自动化控制设备中的临时数据存储，嵌入式系统的缓存存储器，网络和通信设备的数据缓冲，以及消费类电子产品如智能电视、打印机和手持设备中的内存扩展。此外，W681360RG 还适用于需要高可靠性和宽温度范围运行的汽车电子系统和测试测量仪器。