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W634GU6QB-11 发布时间 时间:2025/8/21 3:00:43 查看 阅读:4

W634GU6QB-11 是一种由 Winbond(华邦电子)生产的 NOR Flash 存储器芯片,广泛用于需要高速读取和可靠存储的嵌入式系统中。这款芯片以其高性能和稳定性著称,适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

容量:64Mbit
  电压范围:2.7V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  引脚数:56
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  访问时间:11 ns

特性

W634GU6QB-11 是一款高性能的 NOR Flash 存储器,专为需要快速读取和高可靠性的应用设计。该芯片支持多种读写操作模式,使其能够灵活适应不同的系统需求。其 64Mbit 的容量为存储代码和数据提供了充足的空间,适用于固件存储和代码执行等场景。
  这款 NOR Flash 芯片具有 11 ns 的快速访问时间,能够显著提高系统的响应速度,适合需要快速启动和高效运行的应用。其电压范围为 2.7V 至 3.6V,确保了在不同电源条件下的稳定运行。此外,W634GU6QB-11 采用 56 引脚 TSOP 封装,提供了良好的散热性能和空间节省设计,适用于紧凑型设备。
  芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,使其能够在各种环境条件下稳定运行,无论是工业现场还是户外设备都能胜任。W634GU6QB-11 还支持多种擦写和编程模式,包括块擦除和页编程功能,便于用户进行固件更新和数据管理。

应用

W634GU6QB-11 广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、消费类电子产品(如数码相机和便携式设备)、网络设备以及汽车电子系统等领域。

替代型号

AM29LV640DB-110REI、S29GL064S11TFR01

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W634GU6QB-11参数

  • 现有数量198现货
  • 价格1 : ¥55.33000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)