制造商：Winbond
　　产品类型：DRAM
　　型号：W634GU6NB09I
　　容量：256MB
　　组织结构：x16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　数据速率：166MHz
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数：54-pin
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新周期：64ms
　　访问时间：5.4ns
　　功耗：典型值为120mA（运行模式）
　　最大时钟频率：166MHz
　　数据输入/输出：双向数据总线
　　封装尺寸：5.0mm x 10.0mm

W634GU6NB09I是一款高性能DRAM芯片，具有低功耗设计，适用于电池供电设备和嵌入式系统。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够有效降低功耗并提高数据保持能力。其高速数据速率（166MHz）使得数据存取更为迅速，适用于需要快速响应的应用场景。此外，该芯片具有宽电压范围（2.3V至3.6V），适应不同的电源供应环境，并且在-40°C至+85°C的宽温度范围内保持稳定工作性能，适合工业级应用需求。TSOP封装形式不仅减小了整体尺寸，还提高了封装的可靠性，减少了电路板空间占用。此外，该芯片具备高抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行，确保数据的完整性和可靠性。

W634GU6NB09I广泛应用于各种高性能电子设备和系统中，包括嵌入式计算机、工业控制系统、通信设备、网络路由器和交换机、智能卡终端、视频监控系统以及消费类电子产品如平板电脑和便携式游戏设备。其高速数据存取能力和低功耗设计使其特别适合需要长时间运行和高效能处理的场景。

W634GU6NB09I的替代型号包括W634GU6NB07D（速度更快的166MHz版本）和ISSI的IS42S16400J-6T。