容量：256Mb（32MB x 8）
　　组织方式：x8
　　封装类型：TSOP
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：12ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

W632GU8MB-12 是一款基于 DRAM 技术的存储器芯片，具有高速访问能力和宽电压范围，适用于多种应用场景。该芯片的访问时间为 12ns，这意味着它可以在较短的时间内完成数据的读取或写入操作，从而提高整体系统的性能。
　　该芯片采用 54 引脚 TSOP 封装，这种封装方式不仅有助于减小 PCB 板的空间占用，还具备较好的热稳定性和电气性能，适合在高密度电子设备中使用。此外，W632GU8MB-12 的电源电压范围为 2.3V 至 3.6V，这种宽电压设计使得芯片能够适应不同的供电环境，提高了其兼容性和灵活性。
　　在工作温度方面，W632GU8MB-12 支持 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围，这意味着它可以稳定地运行在各种恶劣环境中，例如工业控制设备、通信设备或车载系统等。
　　该芯片的存储容量为 256Mb，组织方式为 x8，这意味着它能够提供较大的数据存储空间，并且适合用于需要较高数据吞吐量的应用场景。

W632GU8MB-12 被广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于嵌入式系统、数字电视、网络路由器、工业控制设备、便携式消费电子产品等。由于其高速访问时间和宽电压设计，W632GU8MB-12 特别适合用于需要频繁读写操作的场景，例如缓存存储器或临时数据存储单元。此外，其工业级温度适应能力也使其在汽车电子、安防设备和工业自动化控制系统中得到了广泛应用。

W632GU8MB-15, W632GU8MB-10