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W632GU6KB15I 发布时间 时间:2025/8/21 4:35:15 查看 阅读:25

W632GU6KB15I 是由 Winbond(华邦电子)推出的一款高性能、低功耗的 NOR Flash 存储器芯片,主要用于需要快速访问和高可靠性的应用场合,例如工业控制、嵌入式系统、网络设备以及消费类电子产品。这款 Flash 存储器支持多种接口模式,包括传统的并行接口和高速串行接口,具备较高的灵活性和兼容性。

参数

型号: W632GU6KB15I
  容量: 64 Mbit (8MB)
  电压范围: 2.3V - 3.6V
  工作温度: -40°C 至 +85°C
  封装类型: TSOP
  接口类型: 并行/串行
  读取速度: 15ns
  编程/擦除电压: 仅需单电压供电
  存储器组织: 512K x 16 或 1M x 8
  擦除块大小: 多种可选(Sector 和 Block)
  数据保持时间: 最少20年
  编程时间: 100μs/Word(典型)
  擦除时间: 1s/Block(典型)

特性

W632GU6KB15I 是一款高性能 NOR Flash 存储器芯片,具有以下显著特性:
  1. **多种接口支持**:该芯片支持并行和串行接口,适用于多种应用场景。并行接口提供了高速数据访问能力,而串行接口则有助于简化设计、减少引脚数量,降低整体成本。
  2. **灵活的存储器组织**:支持 512K x 16 或 1M x 8 的存储器配置,用户可以根据实际需求选择适合的模式,提高系统设计的灵活性。
  3. **低功耗设计**:在待机模式下,功耗极低,非常适合电池供电或低功耗应用场合。同时,芯片内置自动休眠功能,有助于进一步降低能耗。
  4. **宽电压范围**:工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,支持多种电源设计,适用于不同的系统环境。
  5. **多块擦除和编程功能**:提供灵活的擦除和编程选项,包括全片擦除、扇区擦除和块擦除,用户可以根据需要选择特定的区域进行擦除或写入,提升操作效率。
  6. **高速访问能力**:15ns 的读取速度确保了芯片在需要快速访问数据的应用中表现出色,如代码执行和实时数据存储。
  7. **高可靠性**:数据保持时间超过 20 年,擦写次数可达 10 万次以上,适合长期运行和频繁更新的场景。
  8. **工业级温度范围**:工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,满足工业级环境下的稳定运行需求,适用于严苛的户外或工业控制系统。

应用

W632GU6KB15I 因其高性能、低功耗和灵活的接口特性,被广泛应用于多个领域:
  1. **嵌入式系统**:用于存储引导代码、固件或关键数据,支持系统快速启动和高效运行。
  2. **工业控制设备**:如PLC、人机界面(HMI)、工业计算机等,用于存储配置信息、程序代码和运行日志。
  3. **网络设备**:路由器、交换机等设备中用于保存固件和配置数据,确保设备稳定运行。
  4. **消费类电子产品**:如智能家电、穿戴设备等,提供低功耗、高可靠性的存储解决方案。
  5. **汽车电子系统**:车载导航、娱乐系统和仪表盘控制模块中,用于存储关键程序和数据,满足汽车级可靠性要求。
  6. **测试与测量仪器**:用于数据存储和仪器校准,支持长时间稳定运行。
  7. **通信设备**:如基站、光模块等,用于固件存储和配置管理,确保设备正常运行。

替代型号

W25Q64JV, S25FL164K, M25P64, MX25L6405

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W632GU6KB15I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-WBGA(9x13)