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W632GG6NB12I 发布时间 时间:2025/8/20 14:44:52 查看 阅读:26

W632GG6NB12I是一款由Winbond公司生产的高性能、低功耗的串行NAND闪存芯片。该芯片专为需要高可靠性和大存储容量的应用设计,适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品等领域。W632GG6NB12I的容量为1Gbit,采用小型化的WSON(8mm x 6mm)封装形式,具备广泛的工作温度范围,适合工业级应用。

参数

容量:1Gbit
  封装类型:WSON-8
  接口类型:串行NAND接口
  工作电压:2.3V至3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  读取速度:最大120MHz
  擦写耐久性:10万次/块
  数据保存时间:10年
  支持ECC功能:内置硬件ECC纠错
  支持坏块管理:自动坏块标记与替换
  功耗:典型工作电流低于10mA

特性

W632GG6NB12I芯片具备多项高性能和可靠性特性。首先,其1Gbit的存储容量能够满足多种嵌入式系统的数据存储需求,例如固件、日志文件或配置数据的存储。
  该芯片采用串行NAND接口,兼容SPI协议,减少了引脚数量,简化了PCB布线并降低了系统成本。同时,内置的硬件ECC纠错功能可有效提升数据完整性,支持高达4位的错误纠正,确保数据在长时间存储和复杂环境下的可靠性。
  此外,W632GG6NB12I具有良好的耐久性和数据保持能力,每个存储块支持高达10万次擦写操作,数据保存时间长达10年。其自动坏块管理功能可识别并标记损坏的存储块,确保系统稳定性。
  低功耗设计是该芯片的另一大亮点,工作电流典型值低于10mA,适合对能耗敏感的应用场景,如电池供电设备或便携式电子产品。

应用

W632GG6NB12I广泛应用于多种嵌入式和工业设备中,如路由器、交换机、智能电表、工业控制器、医疗仪器、安防监控设备以及消费类电子产品。其高可靠性和小尺寸封装特别适合空间受限且对数据存储稳定性要求较高的场景。

替代型号

W25N01GVZEIG,GD5F1GQ4UCYIG,MT29F1G01ABAFABAWP

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W632GG6NB12I参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格198 : ¥42.50869托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)