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W632GG6MB09J 发布时间 时间:2025/8/20 11:08:07 查看 阅读:4

W632GG6MB09J 是一款由Winbond公司推出的高性能、低功耗的NAND闪存芯片。这款芯片广泛用于需要大容量存储的应用场合,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式存储系统、USB闪存盘以及其他便携式电子设备。该器件采用了先进的制造工艺,提供可靠的存储性能,并支持高速数据读写操作。

参数

容量:32Gbit
  存储类型:NAND Flash
  接口类型:ONFI 2.3
  工作电压:1.8V/3.3V兼容
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至85°C

特性

W632GG6MB09J具备多项优异特性。首先,它是一款32Gbit的大容量NAND闪存芯片,适用于需要高存储密度的应用。该芯片支持ONFI 2.3标准接口,提供高达50MB/s的读取速度和较高的写入效率,满足对数据传输速率有较高要求的系统设计。此外,该器件具有低功耗设计,适合于对功耗敏感的移动设备和嵌入式系统。其1.8V和3.3V双电压兼容设计增强了在不同应用场景中的灵活性。
  W632GG6MB09J还具备良好的耐用性和数据保持能力,可支持多达10,000次编程/擦除周期(P/E cycles),并保证10年以上的数据保存期限。其采用TSOP封装形式,便于焊接和集成,同时具备较强的抗干扰能力。在工业级温度范围(-40°C至85°C)下稳定运行,适用于各种严苛的环境条件。

应用

W632GG6MB09J广泛应用于多个领域,包括但不限于:嵌入式系统的主存储器、固态硬盘(SSD)中的存储单元、工业自动化设备、通信设备、消费类电子产品如智能电视和机顶盒、以及车载电子系统等。由于其高可靠性和宽温特性,也非常适合工业和汽车电子等对稳定性要求较高的应用场合。

替代型号

W29N32G6UCACD

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W632GG6MB09J参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.067 GHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)