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W632GG6MB-12 TR 发布时间 时间:2025/8/20 15:39:38 查看 阅读:27

W632GG6MB-12 TR是一款由Winbond公司生产的高性能闪存存储器芯片,广泛用于需要大容量非易失性存储的应用中。该芯片采用先进的存储技术,支持快速读写和高可靠性,适用于各种消费类电子产品和工业应用。

参数

容量:256MB
  封装类型:TSOP
  电源电压:2.7V至3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:SPI
  时钟频率:80MHz
  读取速度:10ns
  存储类型:NOR Flash
  数据保持时间:10年
  擦写周期:100,000次

特性

W632GG6MB-12 TR具有多项显著特性,使其成为高性能存储解决方案的理想选择。首先,其SPI接口支持多种操作模式,包括单线、双线和四线模式,提高了数据传输的灵活性和效率。其次,该芯片内置硬件写保护功能,可以防止意外数据丢失或损坏。此外,它还支持多种软件和硬件复位功能,确保系统在异常情况下能够快速恢复。芯片的低功耗设计使其在待机模式下功耗极低,适合电池供电设备使用。W632GG6MB-12 TR还具备优异的抗干扰能力和长期数据保持能力,确保数据在极端环境下的稳定性。最后,其TSOP封装设计有助于节省PCB空间,并提高产品的整体可靠性。
  在应用方面,W632GG6MB-12 TR适用于多种需要大容量非易失性存储的场景,如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、汽车电子系统以及消费类电子产品等。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在严苛环境中稳定运行,满足不同行业的应用需求。

应用

适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、汽车电子系统、消费类电子产品等

替代型号

W25Q256JV, MX25L25635E, S25FL256S

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W632GG6MB-12 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)