W632GG6MB-12 TR是一款由Winbond公司生产的高性能闪存存储器芯片,广泛用于需要大容量非易失性存储的应用中。该芯片采用先进的存储技术,支持快速读写和高可靠性,适用于各种消费类电子产品和工业应用。
容量:256MB
封装类型:TSOP
电源电压:2.7V至3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
接口类型:SPI
时钟频率:80MHz
读取速度:10ns
存储类型:NOR Flash
数据保持时间:10年
擦写周期:100,000次
W632GG6MB-12 TR具有多项显著特性,使其成为高性能存储解决方案的理想选择。首先,其SPI接口支持多种操作模式,包括单线、双线和四线模式,提高了数据传输的灵活性和效率。其次,该芯片内置硬件写保护功能,可以防止意外数据丢失或损坏。此外,它还支持多种软件和硬件复位功能,确保系统在异常情况下能够快速恢复。芯片的低功耗设计使其在待机模式下功耗极低,适合电池供电设备使用。W632GG6MB-12 TR还具备优异的抗干扰能力和长期数据保持能力,确保数据在极端环境下的稳定性。最后,其TSOP封装设计有助于节省PCB空间,并提高产品的整体可靠性。
在应用方面,W632GG6MB-12 TR适用于多种需要大容量非易失性存储的场景,如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、汽车电子系统以及消费类电子产品等。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在严苛环境中稳定运行,满足不同行业的应用需求。
适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、汽车电子系统、消费类电子产品等
W25Q256JV, MX25L25635E, S25FL256S