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W631GU8MB11J 发布时间 时间:2025/8/20 7:28:49 查看 阅读:26

W631GU8MB11J是一款由Winbond(华邦电子)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,专为高性能计算、图形处理和嵌入式系统设计。这款DRAM芯片采用GDDR5(图形双倍数据速率)技术,具有高速传输速率和低功耗的特点。W631GU8MB11J采用BGA(球栅阵列)封装,适用于显卡、游戏机、高端计算机和网络设备等需要高速图形数据处理的应用场景。

参数

容量:1GB
  类型:GDDR5 SDRAM
  数据速率:3.2 Gbps
  电压:1.5V(VDD)/ 1.5V(VDDQ)
  接口:x16(数据宽度)
  封装类型:BGA(球栅阵列)
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  时钟频率:800 MHz
  访问时间:< 1ns
  组织结构:128M x16

特性

W631GU8MB11J采用先进的GDDR5技术,提供高达3.2 Gbps的数据传输速率,确保高速图形数据处理的流畅性。其x16位宽架构支持更高的带宽效率,适用于高分辨率图形和复杂计算任务。
  该芯片在1.5V电压下运行,优化了功耗表现,适合对能效有要求的应用场景。内置的温度传感器和自动刷新功能确保在高温环境下依然稳定运行。
  此外,W631GU8MB11J支持多种操作模式,包括预充电、自刷新和深度掉电模式,以适应不同的系统需求。其BGA封装提供了良好的散热性能和机械稳定性,适用于高密度PCB布局。

应用

W631GU8MB11J广泛应用于需要高性能图形存储的设备,如独立显卡、游戏机、高性能计算(HPC)设备、工业控制系统和网络交换设备。它也可用于需要大量数据缓存的嵌入式系统,如高端摄像头、图像处理设备和AI加速卡。

替代型号

W631GU6FB11J, W631GU8HB11J, W631GU8MB13G

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