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W631GU6MB09I 发布时间 时间:2025/8/20 8:49:53 查看 阅读:5

W631GU6MB09I 是一款由 Winbond(华邦电子)制造的 NOR 型闪存芯片,广泛用于需要高速读取和可靠性存储的应用中。该型号属于高性能、低功耗的闪存解决方案,适用于工业控制、通信设备、消费电子产品和汽车电子等领域。

参数

容量:128Mbit
  类型:NOR Flash
  封装:TSOP
  工作电压:2.7V - 3.6V
  读取频率:104MHz
  接口类型:SPI / x8/x16
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装引脚数:56
  读取访问时间:5.4ns
  写入周期时间:1ms
  擦除周期时间:1s

特性

W631GU6MB09I 采用高性能的 NOR Flash 技术,支持快速随机访问,读取速度高达 104MHz,能够满足对实时性能要求较高的应用场景。其低功耗设计使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。该芯片支持 SPI(串行外设接口)模式以及 x8/x16 并行接口,提供灵活的连接选项,适用于多种系统架构。W631GU6MB09I 支持宽温范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业级和汽车级环境。此外,该芯片内置错误检测和纠正功能,增强了数据存储的可靠性。其 56 引脚 TSOP 封装设计,节省了 PCB 板的空间,适用于高密度电路布局。

应用

W631GU6MB09I 适用于各种嵌入式系统和高端电子产品,如路由器、交换机、安防监控设备、数字电视、机顶盒、医疗设备、工业控制系统、汽车导航系统等。在需要高速启动和稳定存储的场景中,该芯片能够提供出色的性能表现。

替代型号

W25Q128JV, S25FL128S, MX25L12835F

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W631GU6MB09I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.066 GHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)