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W631GU6KB-12 TR 发布时间 时间:2025/8/20 15:37:04 查看 阅读:12

W631GU6KB-12 TR 是 Winbond 公司生产的一款 NOR 闪存(Flash Memory)芯片,广泛应用于需要高性能、低功耗和非易失性存储解决方案的嵌入式系统中。该型号属于 Winbond 的高性能 NOR Flash 产品系列,支持快速读取操作,适用于代码存储和数据存储的双重需求。该芯片采用小型封装,适合空间受限的应用场景。

参数

存储容量:128 Mbit
  组织方式:16M x 8 / 8M x 16
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  读取速度:120 MHz(最大)
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行 NOR Flash 接口
  擦除操作:支持整体擦除和块擦除
  编程方式:页编程
  封装引脚数:56-pin

特性

W631GU6KB-12 TR 提供高性能的代码执行能力,适用于需要 XIP(Execute In Place)模式的嵌入式系统。其高速读取性能(120 MHz)能够满足现代微处理器和控制器对存储器带宽的需求。该芯片支持多种擦除和编程模式,包括页编程、块擦除和整体擦除,增强了数据管理的灵活性。此外,该器件具有宽工作电压范围(2.3V 至 3.6V),适用于多种电源设计环境。其宽温工作范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于工业级和车载应用。该芯片还具备高可靠性和长寿命,支持10万次擦写周期,并提供10年数据保持能力。

应用

该芯片常用于需要可靠非易失性存储的设备中,如网络路由器、交换机、工业控制器、车载信息娱乐系统、智能电表、医疗设备以及各种嵌入式系统中用于存储启动代码、固件或关键数据。

替代型号

W25Q128JV, S29GL128P, MX25L12835F

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W631GU6KB-12 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-WBGA(9x13)