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W631GG8MB-12 TR 发布时间 时间:2025/8/20 23:48:03 查看 阅读:21

W631GG8MB-12 TR 是一款由 Winbond 生产的高性能、低功耗的串行闪存存储器(Serial Flash Memory),常用于嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制系统和网络设备中进行数据存储和程序引导。该芯片采用 8MB(即 8,388,608 位)容量的 NOR Flash 技术,支持快速读取和编程操作,适用于需要高效存储和快速访问的应用场景。

参数

容量:8MB (8,388,608 bits)
  组织方式:1M x8
  电压范围:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数量:56
  接口类型:并行(Parallel)
  访问时间:12ns
  读取电流:10mA
  待机电流:10μA

特性

W631GG8MB-12 TR 的主要特性之一是其高速访问时间,仅为 12ns,这使得它在需要快速数据存取的系统中表现出色。
  此外,该芯片采用了先进的 CMOS 技术,使其在运行过程中保持低功耗,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)。
  其 2.7V 至 3.6V 的宽电压范围设计增强了其在不同电源条件下的适应性,便于在多种应用中使用。
  这款 NOR Flash 芯片还集成了多种保护机制,如硬件写保护和软件数据保护功能,有效防止数据被意外修改或损坏,从而提高了数据的可靠性和系统稳定性。
  封装方面,采用 56 引脚 TSOP(薄型小外形封装),不仅节省空间,还提升了散热性能,适合高密度 PCB 设计需求。

应用

W631GG8MB-12 TR 主要应用于需要大容量、高速度和高可靠性的嵌入式系统中,例如:工业控制系统中的固件存储与更新、网络设备(如路由器和交换机)中的启动代码和配置数据存储、汽车电子系统(如车载导航和娱乐系统)中的程序存储、医疗设备中的数据记录和固件引导、消费类电子产品(如智能电视和机顶盒)中的系统引导存储等。
  由于其具备高速访问能力和良好的环境适应性,也常被用于需要实时响应的控制系统和高稳定性要求的自动化设备中。此外,它在固态存储器模块、测试仪器和通信设备中也有广泛应用。

替代型号

AM29LV800BB-120RE

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W631GG8MB-12 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)