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W631GG8KB15I TR 发布时间 时间:2025/8/21 0:37:44 查看 阅读:4

W631GG8KB15I TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存存储器(Serial Flash Memory),属于高性能、低功耗的非易失性存储器产品,广泛应用于嵌入式系统、网络设备、消费电子、工业控制等领域。该芯片采用小型封装形式,适合需要高密度数据存储的小型化电子设备。

参数

容量:1Gbit
  封装类型:8-Pin SOP/DFN
  工作电压:2.3V - 3.6V
  接口类型:SPI(Serial Peripheral Interface)
  最大时钟频率:150MHz
  读取速度:150MHz
  擦写次数:100,000次
  数据保持时间:20年
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

W631GG8KB15I TR具备多项先进的性能特点,首先其1Gbit的容量能够满足大多数嵌入式系统和物联网设备对固态存储的需求。该芯片采用SPI接口,具备高速数据传输能力,最高可达150MHz,支持快速读取、页编程和扇区擦除等操作,提升系统响应速度。
  该芯片具有优异的可靠性,支持100,000次擦写循环和20年的数据保持能力,适合长期运行的应用场景。同时,其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源设计,便于在不同系统中集成。
  在功耗方面,W631GG8KB15I TR支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式,有助于延长电池供电设备的续航时间。此外,其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)确保在严苛环境下的稳定运行。

应用

W631GG8KB15I TR广泛应用于各种嵌入式系统和智能设备中,如路由器、交换机、安防摄像头、工业控制系统、智能家电、穿戴设备以及IoT终端设备。其高速读取能力和低功耗特性使其成为需要快速启动和稳定存储的理想选择。
  在消费电子领域,该芯片常用于存储引导代码、固件程序、图形数据或用户配置信息。在工业和通信设备中,可用于数据缓存、日志记录和系统级存储。此外,由于其具备高可靠性和长寿命,也适用于车载电子、医疗设备等对稳定性要求极高的场景。

替代型号

W25Q128JV, MX25U12355, S25FL128S

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W631GG8KB15I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-WBGA(10.5x8)